牛得过分了啊:IBM已掌握5nm工艺 续航激增
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【天极网网络频道】IBM联手三星及罗方德(GlobalFoundries)宣布了一项名为硅纳米片(nanosheet)晶体管的技术,该技术可帮助制造商研发出业内第一款采用5nm技术的芯片。在两年前,IBM宣称公司已经可以使用7nm技术生产芯片,高端芯片的晶体管数量将因此从几十亿个增加到200亿个以上。但随着5nm工艺的问世,这一数量还将增加,单个芯片就上安装300亿个晶体管了。IBM将会在日本东京举行的2017年超大规模集成电路技术研讨会上详细阐述该工艺的细节。
牛得过分了啊:IBM已掌握5nm工艺 续航激增
现目前,业内最先进的芯片使用的是带有10nm宽电路的FinFET制程。英特尔等公司已能够用FinFET制程打造安装有100亿或150亿个晶体管的芯片。而新工艺的问世将让该行业发生巨大的变化,新生产的芯片仅有手指甲大小,而产品的性能将得到进一步地优化。IBM指出性能的优化还将有助于认知计算、物联网以及以数据为基础的云技术的应用和发展。
不仅如此,智能手机等设备的电池续航能力也将得到延伸,其续航时间将达到目前的3倍及以上。不过遗憾的是,我们距离5nm芯片正式投入到市场上还有一段时间。
现在,就连搭载7nm芯片的设备都还没有正式上市,我们可能会在明年等到采用该工艺的设备,那么,就更别提更先进的5nm工艺了。
(Via:ubergizmo.com)
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